referat.am kursayinner referatner diplomayinner tezer պատվիրել աշխատանքներ description_1 <p>[1] Yi Cui, Zhaohui Zhong, Deli Wang, Wayne U. Wang, and Charles M. Lieber, High Performance Silicone Nanowire Field Effect Trasistors (2002):</p> <p>[1] Y. Cui, X. Duan, J. Hu, C.M. Lieber Phiys. Chem B 2000.</p> <p>[1] Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L.J. Lauhon, K. Kim, C.M. lieber M. Scince 2001</p> <p>[1] S. Wolf, R.N. Tauber Silicon Processing for the VLSI Era, 1986.</p> <p>[1] S.M. Sze physicsof semiconductor device, 1981.</p> <p>[1] J.P. Gambino, E.G. Colgan, Mater. Chem Phys, 1998.</p> <p>[1] F. Gasparyan, Эффект Смещения края поглошения в кремниевом Нанопроволке: (2016)</p> <p>[1] V. Parkash, and A.K. Kulkarni. Optical absorption characteristics of silicon nanowires for photovoltaic applications. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 10, N 6, 1293-1207&nbsp;(2011) .</p> <p>[1] H. khondkaryan, Ցածրհաճախային Աղմուկների Հետազոտումը Կիսահաղորդչային Կառուցվացքներում (2015):</p> <p>[1] A. van der Ziel, Noise in Solid State Devices and Circuits Willey, (1986)</p> <p>[1] 3P. Bergveld, IEEE Trans. Biomed. Eng. 17, 70 (1970)</p> <p>[1] L. Bousse, N. F. De Rooij, and P. Bergveld, IEEE Trans. Electron Devices 30, 1263 (1983)</p> <p>[1] S. Pud, F. Gasparyan, M. Petrychuk, J. LI, A. Offenhausser, and S. A. Vitusevich, Single trap dynamics in electrolyte-gate Si nanowire field effect transistors, 2014։</p> <p>[1] M. J. Kirton and M. J. Uren, Adv. Phys., 1989:</p> <p>[1] <a href="http://www.ni.com/pdf/manuals/371290g.pdf">http://www.ni.com/pdf/manuals/371290g.pdf</a>.</p> <p>[1] Edward L. Wolf, Nanophysics and Nanotechnology: An Introduction to Modern Concepts in &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Nanoscience. Second Edition, WILEY-VCH Verlag GmbH &amp;Co. KGaA, Weinheim, 2006.</p> <p>[1] L. Tsakalakos, J. Balch, J. Fronheiser, M.-Y. Shih, S.F. LeBoeuf, M. Pietrzykowski, P.J. Codella, B.A. Korevaar, O. Sulima, J. Rand, A. Davuluru, and U. Rapolc. Strong broadband optical absorption in silicon nanowire films. Journal of Nanophotonics, vol. 1, 013552 (2007).</p> description_2 <p><strong><em>Բովանդակություն</em></strong></p> <p>&nbsp;</p> <p>Գ Լ Ու Խ&nbsp; &nbsp;1</p> <p>1․1 Ներածություն</p> <p>1.2. Խնդրի դրվածք</p> <p>Գ Լ Ու Խ&nbsp; 2</p> <p>&nbsp;2.1 Դաշտային էֆեկտով&nbsp; կրկնակի փականով նանոլարային տրանզիստորային կենսաքիմիական սենսորի (NW Si FET) կառուցվածքը</p> <p>2.2. Դաշտային էֆեկտով կրկնակի փականով նանոլարային տրանզիստորի կառուցվածքով կենսաքիմիական սենսորի հետազոտման տպասալիկի պատրաստումը և ֆոտոհոսանքի սպեկտրալ կախվածության կառուցման ավտոմատացված ծրագիրը</p> <p>2.3 Ակունք-կլանիչ հոսանքի վարքը ալիքի տարբեր երկարությամբ ճառագայթների ազդեցության տակ, երբ սենսորը կառավարվում է ետին փականին տրված լարմամբ</p> <p>2.4 &nbsp;Արդյունքների ամփոփում</p> <p>2․5 Գրականություն</p> <p>&nbsp;</p> title_arm նանոլարային տրանզիստորների բնութագրերը title_eng convertot_1 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_2 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_3 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_4 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_5 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_6 nanolarayin tranzistorneri bnutagrery convertot_7 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_8 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_9 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_10 nanolarayin tranzistorneri bnutagrery convertot_11 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_13 nanolarajin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_14 nanwlarayin tranzistwrneri bnutagrer@ convertot_15 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_16 nanolarayin tranzistorneri bnytagrer@ convertot_17 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@ convertot_18 nanolarayin tranzistorneri bnutagrer@